Первый шаг в науку

Издательство «Наука» представляет рубрику «Первый шаг в науку» (серия «Научно-популярная литература») для детей дошкольного и младшего школьного возраста.

Труды ФТИАН.Т20.Квантовые компьютеры,микро-и наноэлект.:физ.тех,диа и модел.2009г.

  • Издательство: М.: Наука
  • ISBN: 978-5-02-036976-4
  • Год: 2009
  • Колич. страниц: 247

СТОИМОСТЬ: 242 руб.

КУПИТЬ КНИГУ

-50%
На эту книгу распространяются условия акции Специальные цены на редкие книги из фонда «Науки»: при оформлении покупки Вы платите только половину от указанной в каталоге цены.

Описание книги:

Сборник, посвященный 20-летию Физико-технологического института РАН, включает в себя статьи по актуальным проблемам микро- и наноэлектроники, микро- и наноэлектромеханики и твердотельных квантовых компьютеров. Рассмотрены перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах, проанализирован перенос электрона в одномерных многоямных структурах. Особое внимание уделено важнейшим вопросам физики и моделирования на-нотранзисторов (кремниевые в ультратонком кремнии на изоляторе, туннельные, с графеновым каналом и др.). Исследованы межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны. Представлены статьи по моделированию электромиграционного разрушения тонкопленочных проводников, прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержания точечных дефектов, моделированию каналов нейтрализации источников пучков быстрых нейтралов, дается обзор плазменных процессов в технологии МЭМС.  Для специалистов в области микро- и наноэлектроники. По сети «Академкнига»  The proceedings devoted to the 20th anniversary of Physico-Technological Institute of RAS include topical issues on micro- and nanoelectronics, micro- and nanoelectromechanical systems, and solid state quantum computers. Prospects of full-scale quantum computers on solid state ion traps are considered, and electron transport in 1 D multi-well structures is analyzed. Special focus is on physics and modeling of nanotransistors (silicon in ultra-thin body SOI, tunnel transistors, nanotransistors with graphene channel, etc.). Optical intersubband transition in broken-gap structures is studied. Articles on modeling of electromigration damage of thin-film conductors, strength of joint materials interface dependence on microstructure and point defects, and modeling of neutralization paths in sources of fast neutrals are presented. A review of plasma processes in MEMS technology is given. For specialists in the field of micro- and nanoelectronics.




АкадемКласс

«АкадемКласс» – это интересные и познавательные книги для маленьких и больших детей. Авторы серии сопровождают своих читателей в увлекательных путешествиях по самым разным областям знания, а замечательные иллюстрации помогают сделать этот путь еще более ярким и запоминающимся.
Обращаясь к школьникам, эти книги, тем не менее, будут интересны и взрослым, вдохновляя их узнать для себя что-то новое об окружающем мире.

Труды ФТИАН.Т20.Квантовые компьютеры,микро-и наноэлект.:физ.тех,диа и модел.2009г.

  • Издательство: М.: Наука
  • ISBN: 978-5-02-036976-4
  • Год: 2009
  • Колич. страниц: 247

СТОИМОСТЬ: 242 руб.

КУПИТЬ КНИГУ

-50%
На эту книгу распространяются условия акции Специальные цены на редкие книги из фонда «Науки»: при оформлении покупки Вы платите только половину от указанной в каталоге цены.

Описание книги:

Сборник, посвященный 20-летию Физико-технологического института РАН, включает в себя статьи по актуальным проблемам микро- и наноэлектроники, микро- и наноэлектромеханики и твердотельных квантовых компьютеров. Рассмотрены перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах, проанализирован перенос электрона в одномерных многоямных структурах. Особое внимание уделено важнейшим вопросам физики и моделирования на-нотранзисторов (кремниевые в ультратонком кремнии на изоляторе, туннельные, с графеновым каналом и др.). Исследованы межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны. Представлены статьи по моделированию электромиграционного разрушения тонкопленочных проводников, прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержания точечных дефектов, моделированию каналов нейтрализации источников пучков быстрых нейтралов, дается обзор плазменных процессов в технологии МЭМС.  Для специалистов в области микро- и наноэлектроники. По сети «Академкнига»  The proceedings devoted to the 20th anniversary of Physico-Technological Institute of RAS include topical issues on micro- and nanoelectronics, micro- and nanoelectromechanical systems, and solid state quantum computers. Prospects of full-scale quantum computers on solid state ion traps are considered, and electron transport in 1 D multi-well structures is analyzed. Special focus is on physics and modeling of nanotransistors (silicon in ultra-thin body SOI, tunnel transistors, nanotransistors with graphene channel, etc.). Optical intersubband transition in broken-gap structures is studied. Articles on modeling of electromigration damage of thin-film conductors, strength of joint materials interface dependence on microstructure and point defects, and modeling of neutralization paths in sources of fast neutrals are presented. A review of plasma processes in MEMS technology is given. For specialists in the field of micro- and nanoelectronics.